做IGBT驅(qū)動這幾年炸過的模塊不在少數(shù)其中最典型的場景就是電機(jī)堵轉(zhuǎn)或者橋臂直通的瞬間示波器上Vce波形還沒反應(yīng)過來模塊已經(jīng)冒煙了。后來把英飛凌2ED020I12F2這顆半橋驅(qū)動芯片徹底吃透我才真正理解IGBT去飽和保護(hù)電路的完整閉環(huán)——為什么短路時不能靠電流傳感器救場為什么“看Vce”能在幾微秒內(nèi)完成判斷以及Cdesat、Rdesat這些外圍件到底該怎么算。這篇文章把原理、公式推導(dǎo)、實測調(diào)試經(jīng)驗一次性給你適合正在做變頻器、伺服驅(qū)動器、車載OBC、大功率DC-DC或感應(yīng)加熱電源的硬件工程師也適合剛接觸IGBT驅(qū)動、想搞明白DESAT保護(hù)機(jī)制的同學(xué)。1. IGBT為什么需要“看Vce”來判斷短路1.1 從飽和到退飽和IGBT短路時的物理過程要理解去飽和保護(hù)就得先理解IGBT在短路時到底發(fā)生了什么物理變化。IGBT正常導(dǎo)通時工作在飽和區(qū)柵極加正壓溝道完全開啟通態(tài)壓降Vce(sat)通常在1.5V到3V之間。這時候集電極電流雖然不小但因為飽和壓降低管子上的損耗可以接受。飽和區(qū)的特點是電流主要由外部電路決定而Vce基本穩(wěn)定在很低的數(shù)值不會跟著電流大幅變化。一旦發(fā)生短路比如橋臂直通或者負(fù)載被旁路負(fù)載阻抗趨近于零集電極電流瞬間被拉高到額定電流的5到10倍。這么大的電流流過溝道時溝道上的壓降急劇增大IGBT被迫退出飽和區(qū)進(jìn)入線性放大區(qū)。這個過程中最顯著的特征就是Vce迅速抬升可以在幾微秒內(nèi)上升到接近母線電壓的水平而電流仍然被柵極電壓鉗位在一個很大的值上。高壓和大電流同時落在同一個管芯上瞬時功耗就是幾百千瓦甚至兆瓦級別的。結(jié)溫在幾個微秒到十幾個微秒內(nèi)就能沖過175°C甚至更高一旦超過這個溫度芯片內(nèi)部的鋁鍵合線、芯片焊接層就會快速劣化最終導(dǎo)致短路失效。絕大多數(shù)IGBT數(shù)據(jù)手冊里會給出一個關(guān)鍵參數(shù)——短路耐受時間SCWT通常標(biāo)稱是10us。這意味著從短路發(fā)生到器件失效留給驅(qū)動電路的反應(yīng)窗口只有大約10個微秒。我在第一次做IGBT驅(qū)動時犯過一個錯誤總覺得IGBT短路后可以靠時間去扛結(jié)果實測短路電流還沒到峰值模塊已經(jīng)先炸了。后來才明白IGBT的SCWT不是讓你去消耗的而是讓你在它耗盡之前完成保護(hù)動作的。1.2 為什么不去直接采樣電流很多人第一反應(yīng)是“我在主回路串一個采樣電阻或者電流互感器不就行了”這個思路在低壓小功率場合可以但在大功率IGBT應(yīng)用里問題很多。串采樣電阻最大的問題是損耗和成本。在幾十安培到幾百安培的電流回路里哪怕采樣電阻只有1毫歐損耗也是可觀的散熱設(shè)計會很頭疼。電流互感器和霍爾傳感器雖然損耗小但都有固有延遲。從電流建立到信號經(jīng)過傳感器、比較器、邏輯電路到達(dá)驅(qū)動芯片往往要吃掉1us以上的時間。在10us的窗口里這個延遲比例非常不劃算。更關(guān)鍵的一點是電流傳感器測到的是“已經(jīng)產(chǎn)生了大電流”這個結(jié)果而去飽和檢測測到的是“器件已經(jīng)進(jìn)入危險工作區(qū)”這個狀態(tài)。后者在物理邏輯上更接近失效根源。因為真正能殺死IGBT的不是電流本身而是“高電壓×大電流”同時作用下的瞬時功耗。當(dāng)Vce開始飆升說明器件已經(jīng)退飽和你必須在最短時間內(nèi)把柵極關(guān)掉。這時候與其等電流傳感器繞一圈回來不如直接監(jiān)測Vce的變化。1.3 去飽和檢測的本質(zhì)去飽和檢測本質(zhì)上就是一個閾值判斷IGBT正常導(dǎo)通時Vce很低只有2到3伏退飽和之后Vce會迅速超過幾伏甚至幾十伏。驅(qū)動芯片只要在特定時間窗口內(nèi)檢測Vce是否超過了一個閾值比如2ED020I12F2設(shè)定為約9V就能判斷IGBT是不是已經(jīng)退出飽和區(qū)。這個方案響應(yīng)速度有天然優(yōu)勢因為Vce的變化本身發(fā)生在納秒到微秒量級不需要經(jīng)過電流傳感器的延遲鏈路。同時它不侵入主功率回路沒有額外損耗也不受主回路寄生參數(shù)的影響。正因為這些優(yōu)點現(xiàn)在幾乎所有的工業(yè)級IGBT驅(qū)動芯片都把去飽和檢測做成了標(biāo)配包括英飛凌的EiceDRIVER系列。去飽和檢測還有一個隱含的好處它能捕捉到“慢速燒毀型”故障。比如IGBT老化后飽和壓降漂移、散熱變差導(dǎo)致結(jié)溫升高、或者長時間過載導(dǎo)致退飽和這些情況的電流可能在額定范圍內(nèi)普通過流保護(hù)根本不會啟動但Vce已經(jīng)悄悄抬高了。DESAT檢測能感知這種漸進(jìn)式惡化在器件徹底損壞前發(fā)出預(yù)警。2. 2ED020I12F2內(nèi)部的去飽和檢測鏈路2.1 恒流源、比較器和鉗位管的配合2ED020I12F2是英飛凌的一款2A驅(qū)動能力、1200V電平的半橋驅(qū)動芯片內(nèi)部兩個通道各自集成了完整的去飽和檢測模塊。DESAT引腳內(nèi)部接了一個恒流源和一個比較器。恒流源大約是350uA量級比較器閾值約9V具體值要看官方數(shù)據(jù)手冊。芯片工作過程可以分成三個階段來看。第一階段IGBT關(guān)斷期間。DESAT引腳被內(nèi)部鉗位管拉低到約1.2V左右。這個鉗位的作用有兩個一是防止引腳在關(guān)斷狀態(tài)下懸空積累電荷二是保證關(guān)斷時不會因為集電極高壓的耦合而誤觸發(fā)保護(hù)。如果DESAT引腳電壓在關(guān)斷期間被外部噪聲拉高到閾值會導(dǎo)致完全錯誤的保護(hù)動作所以這個鉗位管非常關(guān)鍵。第二階段IGBT剛剛開通。鉗位管釋放恒流源開始向外部的DESAT電容充電。由于外部串聯(lián)的高壓阻塞二極管處于導(dǎo)通狀態(tài)DESAT引腳電壓約等于IGBT的Vce加上二極管正向壓降再加上恒流源在外部電阻上產(chǎn)生的壓降。正常導(dǎo)通時這個電壓在3V上下遠(yuǎn)低于9V閾值所以比較器不會動作電路可以正常工作。第三階段發(fā)生短路時。IGBT退飽和Vce迅速抬高高壓通過外部二極管傳遞到DESAT引腳。引腳電壓一旦突破9V比較器輸出翻轉(zhuǎn)。但比較器并不會立刻觸發(fā)保護(hù)而是等一個消隱時間窗口確認(rèn)這個窗口用來排除IGBT開通瞬間的瞬態(tài)干擾。確認(rèn)是真實的短路后芯片才進(jìn)入保護(hù)狀態(tài)。2.2 消隱時間是怎么產(chǎn)生的消隱時間是理解DESAT保護(hù)的一個核心概念。IGBT開通瞬間集電極電流會有一個尖峰。特別是在硬開關(guān)拓?fù)淅镓?fù)載是變壓器或大電感時續(xù)流二極管的反向恢復(fù)電流會疊加在IGBT的開通電流上造成Vce在短時間內(nèi)被抬高。如果驅(qū)動芯片在開通瞬間立刻對DESAT信號做判斷很可能會把正常的開通過程誤判成短路系統(tǒng)連正常啟動都做不到。所以2ED020I12F2在IGBT剛開通的一個時間窗口內(nèi)會屏蔽DESAT比較器的輸出這個窗口就是消隱時間。消隱時間由兩部分組成芯片內(nèi)部的固定延時加上外部DESAT電容充電產(chǎn)生的外部延時。內(nèi)部延時是芯片設(shè)計時定死的外部延時靠Cdesat電容的容量來調(diào)整。總消隱時間 內(nèi)部固定延時 外部電容充電到比較器閾值所需的時間。外部延時的計算公式推導(dǎo)我放到下一章詳細(xì)講這里先記住結(jié)論Cdesat越大消隱時間越長抗干擾越強(qiáng)但保護(hù)響應(yīng)越慢。2.3 檢測到故障之后軟關(guān)斷與故障反饋2ED020I12F2檢測到短路后有一個容易被忽視但非常重要的行為它不會粗暴地瞬間拉低柵極電壓。原因是短路電流很大如果硬關(guān)斷di/dt會非常劇烈在母線寄生電感上產(chǎn)生極高的過壓尖峰。這個尖峰疊加在母線電壓上很可能直接超過IGBT的額定耐壓把器件二次擊穿。所以芯片執(zhí)行的是軟關(guān)斷用一個受控的放電電流來拉低柵極適當(dāng)延長關(guān)斷時間把過壓尖峰鉗制在安全范圍內(nèi)。實際用示波器看軟關(guān)斷和硬關(guān)斷的波形區(qū)別非常明顯。硬關(guān)斷時Vce尖峰可能沖到1500V以上軟關(guān)斷可以控制在1200V以內(nèi)。這個差異在母線電壓高、回路電感大的系統(tǒng)里尤其明顯。與此同時FAULT引腳會輸出故障信號。這個信號是開漏輸出外部要接上拉電阻。MCU收到FAULT下降沿后可以封鎖PWM、記錄故障代碼、甚至控制接觸器切斷主電源。要讓驅(qū)動芯片重新投入工作一般需要復(fù)位信號或者重新啟動。這種鎖存式保護(hù)的意義在于故障發(fā)生后系統(tǒng)不會自己恢復(fù)避免在故障未排除的情況下反復(fù)重啟造成二次損壞。3. 外圍參數(shù)計算Cdesat、Rdesat、阻塞二極管的工程取值3.1 參數(shù)計算的完整推導(dǎo)去飽和保護(hù)外圍就三個關(guān)鍵器件DESAT電容Cdesat、串聯(lián)電阻Rdesat、高壓阻塞二極管Ddesat。核心計算目標(biāo)是確定Cdesat的容量因為它直接決定了外部充電延時也間接決定了消隱時間的總長度。來看完整的推導(dǎo)過程。恒流源以電流Ich向外部的電容C充電電容電壓從起始電壓V_base上升到比較器閾值Vth。根據(jù)電容充電基本公式I C × dV/dt充電時間t和電容值的關(guān)系為t C × (Vth - V_base) / Ich這里V_base是IGBT導(dǎo)通期間DESAT引腳上的基礎(chǔ)電壓它等于V_base Vce(sat) VF(Ddesat) Ich × Rdesat其中Vce(sat)是IGBT的飽和壓降VF(Ddesat)是阻塞二極管的正向壓降最后一項是恒流源在串聯(lián)電阻上產(chǎn)生的壓降。于是電壓差為ΔV Vth - V_base 9V - Vce(sat) - VF - Ich × Rdesat如果目標(biāo)外部延時是t_ext那么Cdesat Ich × t_ext / ΔV這里有個特別容易踩的坑很多人計算時只考慮Vce(sat)和二極管VF忽略了Ich × Rdesat這一項。當(dāng)Rdesat取值較大時這一項會顯著壓縮ΔV。比如Rdesat取4.7kΩIch約0.35mA光這一項就有1.6V多的壓降直接占掉閾值電壓的近五分之一。忽略它算出來的Cdesat會明顯偏小實際消隱時間達(dá)不到預(yù)期抗干擾能力會打折扣。3.2 具體算例以50A/1200V IGBT為例用某款50A/1200V IGBT做實例假設(shè)其數(shù)據(jù)手冊給出的Vce(sat)典型值為1.7VSCWT為10us。阻塞二極管Ddesat選擇快恢復(fù)二極管正向壓降按1V估算。Rdesat暫取1kΩ。先計算Ich × Rdesat0.35mA × 1kΩ 0.35V基礎(chǔ)電壓V_baseV_base 1.7 1 0.35 3.05V電壓差ΔVΔV 9 - 3.05 5.95V假設(shè)我們希望外部充電時間控制在0.5us也就是給內(nèi)部延時之外增加0.5us的消隱時間Cdesat 0.35mA × 0.5us / 5.95V ≈ 29.4pF取標(biāo)準(zhǔn)值33pF反算實際外部延時t_ext 33pF × 5.95V / 0.35mA ≈ 0.56us如果芯片內(nèi)部固定延時約3us總消隱時間約3.56us。對SCWT為10us的IGBT來說這個保護(hù)響應(yīng)速度是安全的同時又留出了足夠的抗干擾余量。調(diào)低Rdesat會怎樣假設(shè)Rdesat取100Ω那Ich × Rdesat只有0.035VΔV變成6.27V。同樣的33pF電容外部延時變成0.59us變化不大。但基礎(chǔ)電壓降低了正常工作點的裕量更充足。所以從檢測精度角度來說Rdesat盡量取小一些沒壞處。如果Rdesat取4.7kΩ壓降1.645VΔV只剩4.65V。這時要維持0.5us的外部延時C需要約37.4pF取39pF才能達(dá)到?？梢钥吹絉desat越大需要Cdesat越大這是個連鎖效應(yīng)。所以實際設(shè)計時最好先定Rdesat再算Cdesat。3.3 阻塞二極管和電阻選型要點阻塞二極管Ddesat的作用是隔離母線高壓只在IGBT導(dǎo)通時把Vce信號傳遞到DESAT引腳。它的選型有幾個硬指標(biāo)。耐壓必須足夠至少是母線電壓的1.5倍以上。1200V母線系統(tǒng)的應(yīng)用建議選1200V或更高耐壓的二極管留足安全余量。反向恢復(fù)時間要短這樣在IGBT關(guān)斷瞬間二極管能快速進(jìn)入反向截止?fàn)顟B(tài)避免反向恢復(fù)電流干擾DESAT引腳。反向漏電流要在高溫下足夠小因為漏電流會灌進(jìn)DESAT引腳相當(dāng)于額外給電容充電可能在高溫工況下把引腳電壓慢慢抬高導(dǎo)致誤觸發(fā)。我常用的選型方向是STTH系列這類快恢復(fù)二極管電流等級不需要太大反向耐壓按系統(tǒng)母線打足。Rdesat的作用有兩個限制短路瞬間流入DESAT引腳的電流同時和Cdesat組成RC低通濾波抑制高頻噪聲。取值過大會抬高基礎(chǔ)電壓壓縮檢測裕量取值過小又起不到限流和濾波作用。工程上常見選擇在100Ω到1kΩ之間。如果DESAT走線較長、系統(tǒng)干擾較大可以適當(dāng)加大電阻但必須把壓降折算回計算公式里重新核算Cdesat。4. 消隱時間的設(shè)計權(quán)衡抗干擾與保護(hù)速度4.1 為什么消隱時間不能隨意加大有人遇到誤觸發(fā)后的第一反應(yīng)是“我把Cdesat加大消隱時間拉到8us總不會誤觸發(fā)了吧?！边@個方法在抗干擾上確實有效但代價是保護(hù)速度變慢。消隱時間的本質(zhì)就是芯片對短路信號“視而不見”的時間窗口。如果短路恰好發(fā)生在消隱窗口內(nèi)芯片不會立刻響應(yīng)而是要等窗口結(jié)束才開始判斷。對于SCWT只有10us的模塊來說消隱時間超過6us再疊加比較器傳播延遲和軟關(guān)斷時間整個保護(hù)鏈路很可能跑不過熱失效的速度。我之前遇到一個客戶為了消除開機(jī)的誤保護(hù)把Cdesat加大到100pF結(jié)果消隱時間拉到接近8us。后來做短路破壞性測試IGBT雖然保護(hù)了但關(guān)斷時的Vce尖峰已經(jīng)逼近耐壓極限模塊內(nèi)部參數(shù)出現(xiàn)漂移。這就是典型的過度保守導(dǎo)致保護(hù)鏈路過慢。所以Cdesat的取值本質(zhì)上是在抗干擾能力和反應(yīng)速度之間找平衡。正確做法是先按公式算出理論值再根據(jù)實際誤觸發(fā)情況微調(diào)而不是一味加大。4.2 常見的誤觸發(fā)場景與應(yīng)對從排錯經(jīng)驗來看DESAT誤觸發(fā)主要集中在這幾種情況。第一種開通瞬態(tài)電流尖峰過大。IGBT開通時集電極電流會有尖峰尤其在硬開關(guān)拓?fù)渲胸?fù)載是變壓器或者大電感時續(xù)流二極管的反向恢復(fù)電流疊加在開通電流上Vce短時間內(nèi)被抬高。如果尖峰幅度接近DESAT閾值就會在消隱窗口結(jié)束后觸發(fā)保護(hù)。解決方向是增大柵極電阻來減慢開通速度或者適當(dāng)加大Cdesat把消隱時間延長一點。第二種DESAT走線太長和主功率走線或柵極走線發(fā)生寄生耦合把dv/dt噪聲直接引到比較器輸入端。這個問題靠加大Cdesat效果有限必須從PCB布局上解決。DESAT引腳相關(guān)的走線要盡量短遠(yuǎn)離高頻開關(guān)節(jié)點必要時加地線保護(hù)環(huán)。第三種母線電壓嚴(yán)重跌落或者電網(wǎng)波動。母線電壓瞬間下降會讓IGBT被迫退出飽和區(qū)DESAT檢測也會觸發(fā)。這種情況不是驅(qū)動電路的問題要綜合看系統(tǒng)供電設(shè)計必要時增加母線電容或在控制策略里做掉電處理。第四種Ddesat高溫反向漏電流過大。高溫下二極管漏電流按指數(shù)增長漏電流會持續(xù)給DESAT電容充電把引腳電壓慢慢抬高最終在某個時間點誤觸發(fā)。這個問題在高溫環(huán)境長時間運(yùn)行的應(yīng)用里特別常見。解決辦法是選型時關(guān)注反向漏電流參數(shù)或者適當(dāng)加大Cdesat抬高漏電流的影響門檻。4.3 保護(hù)響應(yīng)時間核算整體保護(hù)鏈路時間由三部分組成消隱時間、比較器傳播延遲、軟關(guān)斷動作時間。其中消隱時間占大頭傳播延遲和軟關(guān)斷時間是芯片內(nèi)部的固定參數(shù)。實測核算保護(hù)時間的方法并不復(fù)雜。設(shè)置一個可重復(fù)的短路場景用示波器同時抓短路電壓開始跌落的時間點、FAULT信號拉低的時間點、Vce開始變化的時間點。從短路發(fā)生到FAULT拉低的時間差就是保護(hù)響應(yīng)時間。從FAULT拉低到Vce完全關(guān)斷的時間差是軟關(guān)斷的執(zhí)行時間。我在做短路測試時發(fā)現(xiàn)一個有意思的細(xì)節(jié)消隱時間窗口內(nèi)的短路響應(yīng)時間會比窗口外的短路多出接近一個完整窗口的長度。這是因為芯片要等窗口結(jié)束后才能確認(rèn)DESAT信號穩(wěn)定超出閾值。所以如果模塊頻繁在“消隱窗口內(nèi)”遇到短路宏觀表現(xiàn)就是保護(hù)速度明顯變慢。還有一個容易被忽略的點如果系統(tǒng)的其他保護(hù)環(huán)節(jié)也參與動作必須把它們的延遲一起算進(jìn)去。有些設(shè)計用了過流比較器直接進(jìn)MCU處理MCU中斷響應(yīng)、軟件封鎖PWM的延遲普遍在幾微秒到幾十微秒不等。驅(qū)動芯片的DESAT保護(hù)通常是最后一道硬件防線不能把所有希望寄托在它身上但也不能讓它成為整個保護(hù)鏈路的瓶頸。5. 實測調(diào)試與PCB布局中的細(xì)節(jié)5.1 實測波形怎么讀調(diào)試去飽和保護(hù)電路最推薦的方法是雙脈沖測試。第一個脈沖用來建立負(fù)載電流第二個脈沖可以在需要時用來驗證短路行為或者驗證正常關(guān)斷波形。保護(hù)動作時示波器上DESAT引腳的電壓會先緩慢上升到9V閾值附近后FAULT拉低同時柵極電壓以比較緩的斜率下降Vce出現(xiàn)一個可控過壓尖峰。這個尖峰的幅度是驗證軟關(guān)斷效果的核心指標(biāo)。一般來說IGBT在測試過程中不能損壞Vce尖峰不要超過額定耐壓的80%左右留出足夠的器件裕量。我在測試時習(xí)慣同時抓CH1的Vce、CH2的Vge、CH3的DESAT引腳電壓、CH4的FAULT信號。四個波形一起看保護(hù)時序一目了然。如果發(fā)現(xiàn)FAULT信號在IGBT正常開通時頻繁出現(xiàn)先別懷疑芯片把探頭移到DESAT引腳看開通瞬間的毛刺。很多時候是毛刺幅度接近閾值一開一關(guān)就觸發(fā)保護(hù)。5.2 PCB布局里最容易忽略的幾個點DESAT相關(guān)回路的PCB布局是整個驅(qū)動設(shè)計里最考驗細(xì)節(jié)的地方。DESAT引腳相關(guān)的電阻、電容要盡量靠近芯片引腳放置縮短高阻抗檢測回路。這一段走線承載的是電流非常小的檢測信號任何外部耦合都可能干擾它。走線越短被干擾的概率越低。高壓阻塞二極管Ddesat要靠近IGBT的集電極放置。這樣IGBT集電極到二極管陽極之間的高壓走線最短減小寄生電感也減小高壓節(jié)點向外輻射噪聲的面積。同時阻斷高壓的走線路徑要干凈利落不要繞來繞去穿過控制區(qū)。DESAT走線不要和柵極走線平行長距離走線。柵極信號是高速開關(guān)信號dv/dt很高很容易通過寄生電容耦合到DESAT檢測回路。如果現(xiàn)場布局條件限制必須交叉盡量垂直交叉降低耦合面積。功率地和信號地要分開處理。驅(qū)動芯片的信號地與功率地之間可以用單點連接或者用磁珠連接避免功率回路的開關(guān)電流直接在信號地上產(chǎn)生壓降干擾DESAT比較器參考電平。芯片底部如果有散熱焊盤接地處理要按數(shù)據(jù)手冊要求來不要隨意鋪銅。我見過一個比較極端的案例把Ddesat放在板子邊緣從IGBT集電極拉了一根十幾厘米的走線到二極管陽極。結(jié)果每次主功率開關(guān)DESAT引腳都能看到明顯的振鈴毛刺幅度遠(yuǎn)超9V閾值。把二極管挪到靠近IGBT的位置之后毛刺立刻基本消失誤觸發(fā)問題徹底解決。5.3 調(diào)試中常見問題與排查思路結(jié)合我給客戶做技術(shù)支持的幾次經(jīng)驗整理了最常見的四類問題。問題一一上電就報FAULT。這種問題通常不是參數(shù)設(shè)計問題而是硬件連接問題。優(yōu)先排查DESAT電容是否漏焊或者虛焊二極管方向是否接反芯片供電電壓是否正常。我遇到過好幾次是二極管焊反一上電DESAT引腳直接被高壓擊中芯片當(dāng)場損壞。問題二正常運(yùn)行中偶發(fā)誤保護(hù)。這是最頭疼的一類問題因為故障是間歇性的。正確思路是用示波器長余輝模式長時間捕捉DESAT引腳的動態(tài)波形。如果看到毛刺幅度接近閾值優(yōu)先考慮PCB布局問題或者開通電流尖峰問題。如果毛刺不明顯再懷疑是不是其他信號通過供電回路耦合進(jìn)來。問題三短路測試時模塊直接炸了。這時的排查順序應(yīng)該是先看消隱時間是否太長再看軟關(guān)斷功能是否正常生效最后看柵極關(guān)斷回路阻抗是否過高。還有一個容易被忽略的因素是母線寄生電感太大。母線電感大短路關(guān)斷時的過壓尖峰就高模塊容易被二次擊穿。解決方向是做母線疊層設(shè)計減小回路面積必要時在母線上加RC吸收。問題四保護(hù)動作后系統(tǒng)無法恢復(fù)。這是DESAT保護(hù)的鎖存特性是正常現(xiàn)象。設(shè)計控制策略時要預(yù)留復(fù)位邏輯?？梢宰龀蒑CU檢測到FAULT后延時一段時間再復(fù)位驅(qū)動也可以做成需要人工干預(yù)的故障鎖存。具體怎么選要看應(yīng)用場景對安全性還是對可用性的權(quán)重更高。最后說一點個人體會去飽和保護(hù)參數(shù)沒有所謂的通用最優(yōu)值一定是基于你自己的板子實測調(diào)出來的。我給客戶做電機(jī)驅(qū)動器時最終定下的Cdesat和理論計算值往往差了幾皮法就是因為實際寄生參數(shù)、噪聲環(huán)境、IGBT批次差異都會影響結(jié)果。建議第一版按公式計算值先上配合雙脈沖測試和短路破壞性測試根據(jù)實測的消隱時間和誤觸發(fā)情況再微調(diào)。每次改完參數(shù)都記錄一下波形這個數(shù)據(jù)積累起來比任何應(yīng)用筆記都有參考價值。