1. 項目概述從JSSC經(jīng)典論文看VCO設(shè)計的演進與實戰(zhàn)在射頻集成電路設(shè)計的領(lǐng)域里壓控振蕩器VCO是頻率合成器的心臟它的性能直接決定了整個收發(fā)信機的相位噪聲、調(diào)諧范圍和功耗。從業(yè)十幾年我見過太多工程師在VCO設(shè)計上反復(fù)踩坑尤其是在追求極致相位噪聲和低功耗的平衡時常常陷入兩難。今天我想結(jié)合兩篇JSSCIEEE固態(tài)電路期刊上的里程碑式論文——2012年6月的“Dula-mode VCO”和2015年12月的“Class F VCO”來一次深度的技術(shù)復(fù)盤。這不僅僅是回顧兩篇論文更是想和大家聊聊在實際的芯片設(shè)計項目中面對28nm、16nm乃至更先進工藝下日益嚴苛的指標我們?nèi)绾卫斫?、選擇并實現(xiàn)這些經(jīng)典架構(gòu)以及背后那些論文里不會寫的工程權(quán)衡和調(diào)試血淚史。簡單來說Dula-mode VCO和Class F VCO代表了兩種在傳統(tǒng)LC-VCO基礎(chǔ)上通過波形整形和諧波操控來顯著提升性能的設(shè)計哲學。前者通過巧妙地切換振蕩模式來擴展調(diào)諧范圍和優(yōu)化相位噪聲后者則通過將晶體管偏置在強非線性區(qū)并利用諧振回路塑造出富含奇次諧波的“類F”波形從而大幅提升效率、降低相位噪聲。理解它們不僅是學習兩個電路拓撲更是掌握一套在受限的功耗和面積預(yù)算下“壓榨”出每一分性能的系統(tǒng)性思維方法。無論你是正在準備芯片流片的高級設(shè)計工程師還是剛剛踏入射頻電路大門的研究生這篇結(jié)合了論文精讀與實戰(zhàn)經(jīng)驗的長文或許能給你帶來一些新的啟發(fā)和可以直接借鑒的調(diào)試技巧。2. 核心架構(gòu)原理與設(shè)計思路拆解在深入兩個具體電路之前我們必須先建立共識為什么傳統(tǒng)的互補交叉耦合LC-VCO即所謂的“Class-B”或“-1” VCO會遇到瓶頸其核心矛盾在于為了起振和維持振蕩交叉耦合對管NMOS和PMOS需要提供足夠的負阻以抵消LC諧振回路的損耗。這個負阻來源于晶體管的跨導(dǎo)gm而更大的gm通常意味著更大的偏置電流。然而晶體管的閃爍噪聲1/f噪聲和熱噪聲會通過非線性轉(zhuǎn)換機制上變頻到載波附近形成相位噪聲。在給定功耗電流下存在一個最優(yōu)的電流密度和電壓擺幅使得相位噪聲最小化這就是著名的“Leeson’s model”和后續(xù)更精確的模型所描述的。但傳統(tǒng)架構(gòu)逼近這個理論極限后提升空間就非常有限了。2.1 Dula-mode VCO模式切換的藝術(shù)2012年JSSC上這篇論文提出的“Dula-mode”VCO其核心思想非常巧妙它不是一個固定結(jié)構(gòu)的振蕩器而是一個可以根據(jù)需要在兩種不同振蕩模式之間動態(tài)切換的“雙?！毕到y(tǒng)。這兩種模式通常針對不同的性能指標進行優(yōu)化。一種常見的實現(xiàn)方式是通過開關(guān)切換諧振回路中的部分電感或電容從而改變諧振頻率和等效并聯(lián)電阻Rp。例如在低頻模式使用更大的電感以獲得更高的電感Q值和更好的相位噪聲在高頻模式則切換到更小的電感以滿足調(diào)諧范圍的需求同時通過優(yōu)化電容陣列來維持合理的Rp。另一種更電路化的“模式”切換是改變交叉耦合對的工作狀態(tài)比如從強反型區(qū)切換到適度反型區(qū)以改變負阻產(chǎn)生機制和噪聲特性。設(shè)計思路的關(guān)鍵在于“按需分配”。論文中的設(shè)計者意識到一個寬調(diào)諧范圍的VCO其相位噪聲在頻帶兩端往往差異很大。如果在整個頻段都用同一種“模式”即同一套器件參數(shù)工作為了滿足最差角落的指標比如高頻端的相位噪聲就不得不在其他頻點付出額外的功耗或面積代價。Dula-mode VCO通過引入一個簡單的數(shù)字控制信號允許VCO在頻帶內(nèi)選擇更優(yōu)的工作模式從而在整體上實現(xiàn)更優(yōu)的性能折衷。在實際工程中實現(xiàn)這種切換的挑戰(zhàn)在于模式切換的瞬態(tài)過程和穩(wěn)定性。你不能讓振蕩在切換瞬間停止或產(chǎn)生巨大的頻率毛刺。這需要在切換路徑上精心設(shè)計例如使用漸變開啟的開關(guān)晶體管并仔細仿真切換過程中環(huán)路增益和相位的瞬態(tài)變化。我曾在一次設(shè)計中忽略了這一點導(dǎo)致模式切換時出現(xiàn)了短暫的振蕩幅度塌陷引發(fā)了PLL的失鎖這個坑讓我多花了整整兩周的調(diào)試時間。2.2 Class F VCO波形工程的勝利如果說Dula-mode VCO是“空間”上的優(yōu)化在不同頻率點采用不同模式那么2015年JSSC上這篇Class F VCO則是“時間”維度上的革命——它聚焦于單個振蕩周期內(nèi)晶體管電流和電壓的波形。傳統(tǒng)VCO中交叉耦合對管工作在開關(guān)狀態(tài)其漏極電流是脈沖狀的電壓波形近似正弦波。Class F的概念借鑒了射頻功率放大器通過將諧振回路設(shè)計成對基波f0和特定的奇次諧波如3f0, 5f0呈現(xiàn)低阻抗而對偶次諧波呈現(xiàn)高阻抗從而在晶體管漏極塑造出一個頂部平坦、邊緣陡峭的電壓波形近似方波。這個波形的好處是巨大的零電壓開關(guān)ZVS或最小電壓開關(guān)當晶體管電流最大時其兩端的電壓Vds恰好最小甚至為零。這極大地降低了開關(guān)損耗提升了效率即FoM品質(zhì)因數(shù)。降低噪聲上變頻晶體管的主要噪聲源熱噪聲、閃爍噪聲在導(dǎo)通和關(guān)斷期間對相位噪聲的貢獻不同。理想的Class F波形使得晶體管在對其噪聲最敏感的工作點通常是電流電壓交疊區(qū)停留的時間極短從而抑制了噪聲的轉(zhuǎn)換。提高輸出擺幅平坦的電壓波形意味著在相同的電源電壓下可以獲得更大的有效電壓擺幅這有利于提高信號功率間接改善相位噪聲。Class F VCO的設(shè)計精髓在于諧波控制網(wǎng)絡(luò)的實現(xiàn)。論文中通常采用一個LC諧振在基頻的主回路再并聯(lián)一個或多個對三次諧波有時包括五次諧波諧振的輔助LC支路。這個輔助支路在3f0處的阻抗極低將三次諧波電壓“短路”從而在時域上形成了我們想要的平坦電壓波形。然而增加諧波諧振支路也帶來了設(shè)計復(fù)雜性它引入了額外的寄生、可能影響調(diào)諧范圍并且需要精確的建模和仿真以確保在多頻點上的正確諧振。3. 核心電路實現(xiàn)與關(guān)鍵參數(shù)設(shè)計理解了核心思想我們來看看如何把它們變成具體的電路和版圖。這里我會結(jié)合論文里的典型數(shù)據(jù)和自己的設(shè)計經(jīng)驗給出一些可量化的設(shè)計參考。3.1 Dula-mode VCO的電路實現(xiàn)細節(jié)一個典型的Dula-mode VCO可能包含以下部分核心振蕩單元互補交叉耦合對NMOS和PMOS固定或可變的尾電流源?？汕袚Q的諧振回路這是實現(xiàn)“雙模”的關(guān)鍵。通常是一個帶有開關(guān)的中心抽頭電感或者兩套可切換的電容陣列如粗調(diào)電容陣列的某幾位被用作模式切換。模式控制邏輯簡單的數(shù)字控制電路根據(jù)頻率控制字FCW或外部指令產(chǎn)生切換信號。關(guān)鍵設(shè)計參數(shù)與考量電感設(shè)計與切換如果采用可切換電感需要特別關(guān)注開關(guān)晶體管通常是NMOS的寄生電阻和電容。這個開關(guān)在“關(guān)斷”時其寄生電容會并聯(lián)在未被選中的那段電感上造成額外的頻率偏移和Q值下降。版圖上開關(guān)必須緊鄰電感抽頭放置以最小化走線電感。一個實用的技巧是將開關(guān)管的寬長比W/L設(shè)計得足夠大以降低導(dǎo)通電阻但同時要評估其關(guān)斷電容的影響必要時可以在開關(guān)管兩端串聯(lián)一個小的MOM電容來形成電容分壓減小有效寄生。電容陣列設(shè)計電容陣列不僅要覆蓋所需的頻率范圍還要在不同模式下保證諧振回路有相近的等效并聯(lián)電阻Rp和負載Q值。這需要在設(shè)計電容單元時就同時仿真其在兩種模式下的有效電容和寄生電阻。使用MOS變?nèi)莨軙r需注意其Q值隨偏壓的變化避免在某個模式下Q值急劇惡化。偏置與起振模式切換可能導(dǎo)致環(huán)路增益突變。必須確保在兩種模式下交叉耦合對提供的負阻gm都足以補償諧振回路的正阻Rp并有足夠的余量通常要求負阻是正阻的2-3倍以上。這需要對兩種模式下的晶體管跨導(dǎo)和Rp進行單獨仿真和優(yōu)化。實操心得仿真Dula-mode VCO時一定要做瞬態(tài)仿真觀察從模式A切換到模式B的完整過程。重點關(guān)注振蕩幅度是否穩(wěn)定、頻率切換是否平滑無毛刺、以及切換完成后相位噪聲的穩(wěn)態(tài)值。僅僅仿真兩種模式的穩(wěn)態(tài)是不夠的。3.2 Class F VCO的電路實現(xiàn)細節(jié)Class F VCO的電路看起來更“擁擠”一些因為它包含了額外的諧波諧振網(wǎng)絡(luò)。主諧振回路L1和C1諧振在基頻f0。C1通常是可調(diào)的用于頻率調(diào)諧。三次諧波諧振回路L3和C3并聯(lián)諧振在3f0。這個支路直接并聯(lián)在差分輸出節(jié)點之間。交叉耦合對與常規(guī)VCO類似但晶體管尺寸和偏置點的選擇策略不同。關(guān)鍵設(shè)計參數(shù)與考量諧波回路元件值計算這是設(shè)計的起點。首先確定目標中心頻率f0。然后選擇L1根據(jù)ω0 1/√(L1C1_total)估算總電容C1_total。對于三次諧波回路其諧振頻率為3f0即ω3 3ω0 1/√(L3C3)。這里有一個重要的權(quán)衡L3和C3的值。L3通常比L1小很多但具體值需要優(yōu)化。如果L3太小其自身的寄生電阻會導(dǎo)致Q值很低無法有效短路三次諧波如果L3太大則C3會非常小容易受到寄生電容的影響而失諧。一個經(jīng)驗法則是讓L3在3f0處的阻抗ω3*L3與主回路在3f0處的阻抗處于可比量級以便有效分流。晶體管尺寸與偏置Class F VCO中的晶體管往往被偏置在更深的開關(guān)狀態(tài)即柵壓遠超過閾值電壓以產(chǎn)生更尖銳的電流脈沖。這要求晶體管有足夠的驅(qū)動能力。尺寸需要結(jié)合尾電流大小和期望的電壓擺幅來共同確定。太大的尺寸會增加寄生電容影響f0和調(diào)諧范圍太小的尺寸則可能無法提供足夠的負阻或電流脈沖。需要通過諧波平衡HB仿真來協(xié)同優(yōu)化。版圖布局的極端重要性Class F VCO對寄生極其敏感。連接L3和C3的走線必須非常短且對稱任何額外的串聯(lián)電感都會改變?nèi)沃C波的諧振點。理想情況下L3和C3應(yīng)該做成一個緊湊的單元并采用差分對稱的版圖。主電感L1和三次諧波電感L3之間的互感也必須仔細評估和控制通常需要將它們垂直放置或拉開足夠距離。注意事項Class F VCO的仿真驗證遠比傳統(tǒng)VCO復(fù)雜。直流和SP仿真只能看個大概。必須使用諧波平衡仿真來準確分析穩(wěn)態(tài)波形和各次諧波成分。瞬態(tài)仿真用于觀察起振過程和穩(wěn)定性但評估相位噪聲和波形純度HB仿真更為準確和高效。很多初學者的錯誤是只用瞬態(tài)仿真結(jié)果完全看不到Class F波形的效果。4. 性能對比與工程選型指南紙上談兵終覺淺我們最終要為項目選型。下表從幾個關(guān)鍵工程維度對比了兩種架構(gòu)特性維度傳統(tǒng)LC-VCO (Class-B)Dula-mode VCOClass F VCO核心優(yōu)勢結(jié)構(gòu)簡單設(shè)計成熟可靠性高調(diào)諧范圍內(nèi)性能均衡可在不同頻點優(yōu)化相位噪聲或功耗極限相位噪聲和FoM在固定頻點附近性能卓越相位噪聲一般接近經(jīng)典理論極限優(yōu)于傳統(tǒng)VCO通過在頻帶內(nèi)選擇最優(yōu)模式實現(xiàn)整體優(yōu)化顯著優(yōu)于傳統(tǒng)VCO通過波形整形降低噪聲轉(zhuǎn)換調(diào)諧范圍中等受限于變?nèi)莨躋值和寄生可以很寬模式切換有效擴展了可用范圍通常較窄諧波諧振網(wǎng)絡(luò)限制了電容調(diào)諧范圍功耗效率(FoM)一般較好通過避免全局過設(shè)計實現(xiàn)能效提升通常最優(yōu)零電壓開關(guān)原理帶來高效率設(shè)計復(fù)雜度低中等需設(shè)計模式切換電路并保證穩(wěn)定性高需精確設(shè)計多諧振網(wǎng)絡(luò)對寄生敏感仿真與建模相對簡單需增加模式切換的瞬態(tài)仿真復(fù)雜必須使用諧波平衡仿真進行精確分析版圖敏感性中等需關(guān)注對稱性和寄生中等偏高切換開關(guān)的布局是關(guān)鍵極高諧波回路走線寄生會直接導(dǎo)致性能失效適用場景對面積、功耗、成本敏感性能要求不極致的應(yīng)用需要寬調(diào)諧范圍且對帶內(nèi)相位噪聲均勻性有要求的系統(tǒng)如多頻段收發(fā)機對相位噪聲和功耗有極致要求的固定或窄帶應(yīng)用如高性能時鐘生成、雷達本地振蕩器選型決策邏輯首先看系統(tǒng)需求如果你的PLL需要覆蓋非常寬的頻率范圍例如超過一個倍頻程那么Dula-mode VCO幾乎是必然的選擇因為Class F VCO的窄帶特性無法滿足。如果系統(tǒng)工作在固定頻率或很窄的頻帶內(nèi)且相位噪聲是首要KPI那么Class F VCO更具吸引力。評估設(shè)計資源與風險Class F VCO需要設(shè)計師對諧波平衡仿真和射頻版圖有深刻理解調(diào)試難度大。如果團隊缺乏相關(guān)經(jīng)驗項目周期又緊選擇Dula-mode VCO甚至優(yōu)化后的傳統(tǒng)VCO可能是更穩(wěn)妥的方案。Dula-mode的風險點相對明確模式切換瞬態(tài)更容易通過系統(tǒng)級設(shè)計如PLL的保持模式來規(guī)避?？紤]工藝角與PVT變化Class F VCO的性能特別是FoM的提升嚴重依賴于波形整形這在工藝角、電壓、溫度變化下可能會退化。需要在整個PVT范圍內(nèi)仿真其性能穩(wěn)健性。Dula-mode VCO的性能雖然也隨PVT變化但其相對性能優(yōu)勢模式切換帶來的好處通常更穩(wěn)健。5. 實戰(zhàn)調(diào)試與常見問題排查無論選擇哪種架構(gòu)流片后的調(diào)試都是“見證奇跡”或“直面慘淡”的時刻。分享幾個我親身經(jīng)歷或從同行那里收集到的典型問題及排查思路。5.1 Dula-mode VCO調(diào)試實錄問題一模式切換時PLL短暫失鎖?，F(xiàn)象當數(shù)字控制字改變觸發(fā)VCO模式切換后PLL的鎖定指示信號瞬間跳變經(jīng)過幾十到幾百個參考周期后才重新鎖定。排查首先用高速示波器或片上調(diào)試電路觀察切換瞬間VCO控制電壓Vtune的變化。如果Vtune出現(xiàn)大的跳變或振蕩問題可能出在環(huán)路濾波器對切換瞬態(tài)的響應(yīng)上。如果Vtune平穩(wěn)則問題很可能在VCO本身。需要檢查切換過程中振蕩幅度是否跌落到起振條件以下。這可以通過在版圖中預(yù)留的幅度檢測電路或者通過觀測輸出緩沖器信號包絡(luò)來間接判斷。根本原因與解決最常見的原因是模式切換開關(guān)的速度太快導(dǎo)致諧振回路Q值瞬間劇烈變化環(huán)路增益不足。解決方法不是讓開關(guān)更慢那會引入更長的瞬態(tài)而是在切換路徑上增加一個小的阻尼電阻或采用漸變尺寸的開關(guān)陣列讓切換過程在幾個振蕩周期內(nèi)完成而不是一個周期內(nèi)突變。此外確保切換信號本身沒有毛刺也至關(guān)重要。預(yù)防措施在仿真階段必須進行包含PLL環(huán)路的混合信號瞬態(tài)仿真模擬完整的模式切換過程。單獨仿真VCO是不夠的。問題二兩種模式的相位噪聲差異小于預(yù)期。現(xiàn)象測試發(fā)現(xiàn)在低頻段使用“高性能模式”的相位噪聲并沒有比“普通模式”好很多沒有達到仿真預(yù)期。排查測量兩種模式下諧振回路在目標頻率處的等效阻抗可通過S參數(shù)推導(dǎo)?？赡苡捎诩纳?yīng)實際切換后電感的Q值提升沒有仿真中那么顯著。檢查尾電流源在兩種模式下是否工作在最佳狀態(tài)。有時為了簡化兩種模式共用尾電流源這可能限制了“高性能模式”的電流優(yōu)化空間。根本原因與解決往往是版圖寄生抹平了性能差距。例如用于切換的MOS開關(guān)其源/漏區(qū)到襯底的寄生二極管在反向偏置時存在電容這個電容在兩種模式下都并聯(lián)在電感上且其值可能不小嚴重降低了電感Q值。解決方法是優(yōu)化開關(guān)版圖采用深N阱隔離或使用串聯(lián)-并聯(lián)開關(guān)結(jié)構(gòu)來減小有效寄生電容。預(yù)防措施在電感、開關(guān)等關(guān)鍵器件的版圖完成后一定要提取包含所有寄生的視圖如Calibre xRC反標回電路進行后仿。前仿與后仿的差距就是風險的來源。5.2 Class F VCO調(diào)試實錄問題一實測相位噪聲甚至差于傳統(tǒng)VCOFoM沒有提升。現(xiàn)象這是Class F VCO設(shè)計失敗的最常見表現(xiàn)。排查這是一個系統(tǒng)性的排查流程波形檢查首先必須直接觀測差分輸出節(jié)點的電壓波形。如果波形看起來仍然是正弦波而不是頂部平坦的“方波”那么Class F效應(yīng)根本沒有產(chǎn)生。問題肯定出在諧波諧振回路上。諧波回路諧振點測量這是最關(guān)鍵的步驟。需要通過網(wǎng)絡(luò)分析儀或搭建一個簡單的測試結(jié)構(gòu)測量三次諧波支路L3C3的實際諧振頻率。十有八九你會發(fā)現(xiàn)它偏離了3f0。原因包括a) 建模不準特別是電感的寄生電容和電阻b) 版圖走線引入了額外的串聯(lián)電感使總電感增大c) 電容C3的工藝偏差。檢查主諧振回路確保主回路在f0處正確諧振。如果主回路也失諧整個系統(tǒng)的基礎(chǔ)就不對。檢查偏置用電流探頭或測量串聯(lián)電阻壓降的方式確認尾電流是否與設(shè)計值一致。晶體管是否真的工作在深開關(guān)區(qū)解決與調(diào)整如果諧振點偏移在流片后調(diào)整的余地很小。如果預(yù)留了可調(diào)的電容陣列哪怕是幾位簡單的開關(guān)電容連接到三次諧波支路就可以通過數(shù)字修調(diào)來校準諧振點。如果沒有預(yù)留那么幾乎無法補救。這凸顯了在Class F VCO設(shè)計中預(yù)留調(diào)諧機制的必要性例如為C3設(shè)計一個小的二進制加權(quán)電容陣列。預(yù)防措施電磁場仿真EM Simulation對于Class F VCO的版圖不是可選項是必選項。必須對包含電感、連接走線在內(nèi)的整個諧振網(wǎng)絡(luò)進行全波EM仿真并將結(jié)果帶入電路仿真。同時必須在設(shè)計時考慮PVT變化并通過蒙特卡洛仿真評估失諧的影響據(jù)此確定需要預(yù)留的調(diào)諧范圍。問題二輸出功率低或驅(qū)動能力差。現(xiàn)象VCO本身性能尚可但連接后級電路如分頻器或緩沖器后系統(tǒng)性能下降。排查Class F VCO為了塑造波形其輸出節(jié)點的阻抗環(huán)境是經(jīng)過精心設(shè)計的。直接連接一個低輸入阻抗的后級電路會嚴重加載諧振回路破壞諧波控制。解決必須在VCO核心和后續(xù)電路之間插入一個高輸入阻抗、低輸出阻抗的緩沖器。這個緩沖器本身的設(shè)計也很有講究需要做到寬帶、線性好、附加相位噪聲低。通常采用源極跟隨器或共柵極放大器結(jié)構(gòu)并仔細優(yōu)化其偏置和尺寸以最小化對VCO核心的負載效應(yīng)。預(yù)防措施在系統(tǒng)架構(gòu)設(shè)計初期就要把緩沖器作為VCO不可分割的一部分進行協(xié)同設(shè)計和仿真而不是事后添加。6. 工藝演進下的思考與擴展隨著CMOS工藝節(jié)點不斷演進到28nm、16nm、7nm乃至更小VCO設(shè)計面臨著新的機遇和挑戰(zhàn)。更小的晶體管提供了更高的ft/fmax有利于高頻設(shè)計但電源電壓的降低限制了電壓擺幅而薄柵氧又帶來了可靠性問題。同時先進工藝下高品質(zhì)無源器件如電感的實現(xiàn)并沒有像有源器件那樣同步等比提升甚至可能因為更薄的金屬層而變差。在這種背景下Dula-mode和Class F的思想依然具有強大的生命力但需要新的實現(xiàn)形式在先進工藝下的Dula-mode VCO可以利用更豐富的器件類型和更靈活的布線資源。例如除了切換電感還可以考慮切換不同閾值電壓的晶體管對或者利用數(shù)字輔助的電容調(diào)諧技術(shù)實現(xiàn)更精細、性能邊界更清晰的“多?！辈僮鞫粌H僅是“雙模”。在先進工藝下的Class F VCO低電源電壓使得零電壓開關(guān)的優(yōu)勢更加凸顯因為電壓擺幅受限效率變得至關(guān)重要。但實現(xiàn)高Q值的三次諧波諧振回路在先進工藝中更難。未來的方向可能是與變壓器耦合諧振或分布式諧振網(wǎng)絡(luò)相結(jié)合利用磁耦合或傳輸線效應(yīng)來實現(xiàn)高效的諧波控制同時適應(yīng)更低的電壓擺幅。此外無論是Dula-mode還是Class F其核心思想——通過智能的架構(gòu)切換或精細的波形管理來超越傳統(tǒng)電路的性能瓶頸——正在被應(yīng)用到更廣泛的電路模塊中。例如在功率放大器中看到的多模/Doherty架構(gòu)在數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器中看到的動態(tài)元件匹配其底層邏輯是相通的。回看這兩篇十年前的JSSC論文它們不僅僅是兩個優(yōu)秀的電路更是兩把打開高性能模擬射頻電路設(shè)計大門的鑰匙。掌握它們意味著你開始從“會搭電路”向“會設(shè)計思想”轉(zhuǎn)變。在實際項目中我很少會原封不動地照搬論文里的電路但論文里解決問題的思路和揭示的物理本質(zhì)卻每一次都能給我新的啟發(fā)。最后分享一個很樸素的體會射頻設(shè)計尤其是VCO這種模擬核心很多時候比拼的不是用了多炫酷的架構(gòu)而是對基礎(chǔ)器件電感、電容、晶體管的理解深度以及對寄生效應(yīng)“錙銖必較”的嚴謹態(tài)度。仿真時多考慮一個寄生參數(shù)版圖上多花一天時間優(yōu)化流片后可能就少一個月的調(diào)試煎熬。